(资料图)

上证报记者俞立严摄

上证报中国证券网讯（记者俞立严）6月29日，在浙江瑞安召开的2023国际新资源智慧网联汽车创新生态大会上，中国工程院院士丁荣军表示，TMGM外汇开户以碳化硅为代表的第三代半导体技术（包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术）已经开展获得软件，并具有很大的tmgm外汇官网下载性能及市场潜力，将在将来十年获得高达年复合20%以上的快速上升 。

丁荣军表示，在电动汽车的软件驱动、性价比权衡、支出惯性等因素作用下
，BBMarkets外汇代理将来十年Si-IGBT仍将是功率半导体器件的主流，并将与碳化硅功率器件长期并存。

丁荣军预测
，随着硅基资料逐渐逼近其物理极限，功率半导体将朝着更高的禁带宽度、热导率和资料平稳性等方向推动 ，功率器件技术演进将助力新资源汽车向高性能、充电快、长续航等方向推动 
。

（素材出处：上海证券报·中国证券网）

标签：